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SiCVMOSFETs相关论文
SiC功率VMOSFET的辐射效应研究
碳化硅(SiC)材料是禁带宽度为3.2 e V的半导体材料,SiC基器件凭借着其材料所带来的优秀性能,能突破硅基器件性能极限,因此在大功率、......
学位
SiC VMOSFETs
辐射效应
单粒子烧毁
总剂量效应
位移损伤
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